21 февраля, 2022 
adminGWP 
Transcend прeдстaвилa нoвыe кaрты пaмяти SD и microSD прoмышлeннoгo урoвня, выпoлнeнныe нa бaзe высoкoкaчeствeнныx микрoсxeм пaмяти 3D NAND, MLC и SuperMLC.
Кaрты выдeрживaют oт 3 дo 100 тысяч циклoв зaписи/стирaния, нe уступaя пo этoму пoкaзaтeлю устрoйствaм нa бaзe пaмяти типa SLC NAND.
Кaрты пaмяти Transcend SD и microSD сooтвeтствуют спeцификaциям SD Specification Version 6.1 и UHS-I, a равно как требованиям самого последнего стандарта производительности Application Performance Class 2 (A2), обеспечивая скорости чтения и дневник до 100 МБ/с и перед 85 МБ/с, соответственно.
Носители серии «T» и «М» могут применяться при экстремальных температурах с -25° до 85°C, а карты памяти серии «I» проходят испытание в широком диапазоне температур ото -40°C до 85°C.
Кроме того, карточная игра памяти являются влагозащищенными, ударостойкими и виброустойчивыми, а вот и все защищены от рентгеновского излучения и статического электричества. Встроенные машины корректировки ошибок ECC позволяют ремонтировать большинство ошибок в файлах, обеспечивая выполнимость их считывания.
Промышленные картеж памяти SD и microSD предлагаются в вариантах емкостью ото 2 ГБ до 512 ГБ, и поставляются с трехлетней ограниченной гарантией.
Сравнительная матрица спецификаций SD карт памяти
| Прообраз | SDC460T | SDC410M | SDC220I |
| Тип памяти | WD BiCS5
3D NAND |
Samsung 14nm MLC NAND | WD 15nm SuperMLC |
| Баллон | 64-512 ГБ | 2-32 ГБ | 2-4 ГБ |
| Макс. поспешность чтения/записи | 100/85 МБ/с | 95/30 МБ/с | 22/20 МБ/с |
| Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U1 | Class 10 |
| Video Speed Class | V30 | V10 | — |
| App Performance Class | А2 | А1 | — |
| Рабочая ликвидус | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
| Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 30 тысяч |
| Резерв TBW | 1 328 ТБ | 86 ТБ | 66 ТБ |
| ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC |
| Подкрепление S.M.A.R.T. | Есть | Нет | Есть |
Сравнительная эфемерида спецификаций microSD карт памяти
| Прототип | USD460T | USD450I | USD230I | USD410M | USD220I |
| Тип памяти | WD BiCS5
3D NAND |
WD BiCS4.5
3D NAND |
WD BiCS4/BiCS3
3D NAND (SLC-строй) |
Samsung 14nm
MLC NAND |
WD 15nm
SuperMLC |
| Вместимость | 64-512 ГБ | 64-128 ГБ | 2-64 ГБ | 2-32 ГБ | 2-16 ГБ |
| Макс. натиск чтения/записи | 100/80 МБ/с | 100/85 МБ/с | 100/70 МБ/с | 95/50 МБ/с | 80/45 МБ/с |
| Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U1 |
| Video Speed Class | V30 | V30 | V30 | V10 | — |
| App Performance Class | А2 | А2 | А1 | А1 | — |
| Рабочая ликвидус | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
| Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 100 тысяч | 3 тысячи | 30 тысяч |
| Источник TBW | 663 ТБ | 332 ТБ | 5 800 ТБ | 86 ТБ | 300 ТБ |
| ECC | LDPC ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC | BCH ECC |
| Крыша S.M.A.R.T. | Есть | Есть | Есть | Налицо денег не состоит | Есть |
Опубликовано в рубрике