16 декабря, 2021 
adminGWP 
Нoвaя рaзрaбoткa брoсaeт вызoв трaдициoннoму дизaйну
Кoмпaнии IBM и Samsung Electronics сoвмeстнo oбъявили o прoрывe в рaзрaбoткe пoлупрoвoдникoвыx тexнoлoгий, oснoвaннoм нa испoльзoвaнии нoвoй вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает поездка к масштабированию за пределы наноуровня и имеет резерв значительного снижения энергопотребления до сравнению с транзисторами FinFET.
Яса Мура, согласно которому обилие транзисторов в микросхемах примерно удваивается каждые вдвоём года, быстро приближается к тому, сколько считается непреодолимым препятствием.
Исторически транзисторы проектировались в среднем, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, рядом этом электрический ток течёт в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие (про)звание Vertical Transport Field Effect Transistors, река VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и гумно в них течёт вверх иначе говоря вниз.
Процесс VTFET устраняет многие подводные камни на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Симпатия также касается контактов транзисторов, позволяя настричь больший ток с меньшими потерями энергии. В целом новая сооружение нацелена на двукратное бонификация производительности или на освобождение энергопотребления на 85% вдоль сравнению с FinFET.
В пресс-релизе, посвящённом прорыву, зарисовано, что глобальный дефицит полупроводниковой продукции «подчеркнул неодобрительно важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а тоже важность микросхем во во всем: от вычислений до бытовой техники, устройств подписка, транспортных систем и критически важных инфраструктур».
Подготовка была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, который-нибудь назван «ведущей в мире экосистемой во (избежание исследований в области полупроводников, создающей большой поток инноваций, помогая расставить ножки потребности производства и ускорить приращение мировой индустрии микросхем».
Опубликовано в рубрике